隨著5G的發(fā)展，光模塊發(fā)展也迅速，現(xiàn)在市面用的最多的按照通訊速率可以分為10G，25G，40G，100G，400G等等，通信設(shè)備的發(fā)展，通信設(shè)備的集成程度和組裝密度不斷提高，在提供強(qiáng)大的使用功能的同時(shí)，也導(dǎo)致了各種電磁波輻射問題，它們?cè)诠ぷ髦挟a(chǎn)生的各種電磁波需要經(jīng)過處理才能通過相關(guān)的認(rèn)證，所以FIP點(diǎn)膠加工起了非常關(guān)鍵的作用。

  為了解決光模塊的電磁屏蔽的問題，從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)角度出發(fā)，采用電磁屏蔽點(diǎn)膠加工的方法，切斷電磁干擾的耦合路徑，從而改善光模塊的電磁兼容性能。當(dāng)電磁波到達(dá)屏蔽體表面時(shí)，由于界面阻抗不連續(xù)，對(duì)入射波產(chǎn)生反射；未被反射掉而進(jìn)入屏蔽體的能量，在向前傳播的過程中被屏蔽材料吸收衰減，尚未被完全衰減掉的電磁能量，到達(dá)屏蔽材料的另一表面時(shí)，再次因?yàn)榻缑孀杩共贿B續(xù)性發(fā)生反射，重新返回了屏蔽體內(nèi)，重復(fù)這樣的反射吸收過程使得電磁波集中在屏蔽體內(nèi)。電磁屏蔽主要是基于對(duì)電磁波的吸收和反射進(jìn)行衰減起到屏蔽作用。

  現(xiàn)在很多公司常用的方法是在光模塊殼上開槽，然后在上面用導(dǎo)電膠點(diǎn)膠加工，起到電磁屏蔽密封的作用，這樣基本上大部分的EMI電磁屏蔽問題都能解決。